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IRLMS1902TRPBF

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Numero di parte IRLMS1902TRPBF
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP
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IRLMS1902TRPBF Scheda dati

pacchetto SOT-23-6
ECAD
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Specifiche IRLMS1902TRPBF

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoSOT-23-6
ECAD
SerieHEXFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3.2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)2.7V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds300pF @ 15V
Vgs (massimo)±12V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs100 mOhm @ 2.2A, 4.5V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreMicro6?(TSOP-6)
Pacchetto / casoSOT-23-6

Scheda tecnica IRLMS1902TRPBF

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IRLMS1902TRPBF FAQ

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  • 3. Are the IRLMS1902TRPBF price and inventory displayed accurate?
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Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-Pin Micro T/R - Tape and Reel (Alt: IRLMS1902TRPBF)

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Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-Pin Micro T/R (Alt: SP001558856)

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Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-Pin Micro T/R

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MOSFET, N-CH, 20V, SOT-23-6

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Single N-Channel 20 V 10 Ohm 4.7 nC HEXFET® Power Mosfet - MICRO-6

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MOSFET MOSFT 20V 3.2A 100mOhm 4.7nC LogLvl

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MOSFET, N-CH, 20V, SOT-23-6, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:3.2A, Drain Source Voltage Vds:20V, On Resistance Rds(on):0.1ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V, Threshold Voltage Vgs:700mV, Power Dissipation RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
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