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IRLB3036PBF

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Numero di parte IRLB3036PBF
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 60V 195A TO-220AB
Scheda dati

IRLB3036PBF Scheda dati

pacchetto TO-220-3
ECAD
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Specifiche IRLB3036PBF

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
SerieHEXFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C195A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs140nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds11210pF @ 50V
Vgs (massimo)±16V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)380W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.4 mOhm @ 165A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB
Pacchetto / casoTO-220-3

Scheda tecnica IRLB3036PBF

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Sealing
Packing
Insepction

IRLB3036PBF FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IRLB3036PBF is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IRLB3036PBF. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IRLB3036PBF on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IRLB3036PBF products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IRLB3036PBF price and inventory displayed accurate?
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    Warm Tips: It may take up to 24 hours for the carriers to display tracking information. Usually, express delivery takes 3-5 days, and registered mail takes 25-60 days.
  • 6. What is the process for return or replacement of IRLB3036PBF?
    All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IRLB3036PBF we delivered, we will accept the replacement or return of the IRLB3036PBF only when all of the below conditions are fulfilled:
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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Trans MOSFET N-CH 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Rail/Tube (Alt: IRLB3036PBF)

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Trans MOSFET N-CH 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB (Alt: SP001568396)

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International Rectifier

MOSFET, N-CH 60V 195A TO220

111
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MOSFET

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3
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100
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Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB

0
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International Rectifier

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16260
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Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH 60V 195A TO220

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IRLB3036PBF

Infineon Technologies AG

Single N-Channel 60 V 2.4 mOhm 91 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3

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19582
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1000
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N-Channel 195A (Tc) 380W (Tc) Through Hole TO-220AB

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88720
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TO-220AB/POWER MOSFET (Continuous Drain Current VGS @ 10V (PackageLimited

258
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Infineon Technologies AG

Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:60V, Continuous Drain Current Id:165A, On Resistance Rds(on):0.0019ohm, Transistor Mounting:Through Hole, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:2.5V, MSL:- RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 50
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# NS-IRLB3036PBF

International Rectifier

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International Rectifier

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 195A I(D), 60V, 0.0024OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-220AB

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N-Channel MOSFET, 270 A, 60 V, 3-Pin TO-220AB Infineon IRLB3036PBF, PK

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N-CH 60V 270A 2,4mOhm TO220-3

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Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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