Name: IRL3103D2PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRL3103D2PBF
Availability: InStock
Rating: 5 (187 reviews)

IRL3103D2PBF

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Numero di parte	IRL3103D2PBF
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 54A TO-220AB
Scheda dati	IRL3103D2PBF Scheda dati
pacchetto	TO-220-3
ECAD
A magazzino	6.624 piece(s)
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Specifiche IRL3103D2PBF

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-220-3
ECAD
Serie	FETKY?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	54A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	44nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2300pF @ 25V
Vgs (massimo)	±16V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2W (Ta), 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14 mOhm @ 32A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220AB
Pacchetto / caso	TO-220-3

Scheda tecnica IRL3103D2PBF

IRL3103D2PBF Packaging

IRL3103D2PBF FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IRL3103D2PBF.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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D# IRL3103D2PBF-ND

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MOSFET N-CH 30V 54A TO220AB

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