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IRFP22N60C3PBF

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Numero di parte IRFP22N60C3PBF
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N-CH 650V 22A TO-247AC
Scheda dati
pacchetto TO-247-3
ECAD
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Specifiche IRFP22N60C3PBF

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-247-3
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C22A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (massimo)-
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247-3
Pacchetto / casoTO-247-3

IRFP22N60C3PBF Packaging

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Sealing
Packing
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IRFP22N60C3PBF FAQ

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    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IRFP22N60C3PBF. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IRFP22N60C3PBF on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IRFP22N60C3PBF products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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  • 6. What is the process for return or replacement of IRFP22N60C3PBF?
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