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IRFIB7N50LPBF

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Numero di parte IRFIB7N50LPBF
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N-CH 500V 6.8A TO220FP
Scheda dati

IRFIB7N50LPBF Scheda dati

pacchetto TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
ECAD
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Specifiche IRFIB7N50LPBF

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6.8A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs92nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2220pF @ 25V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs380 mOhm @ 4.1A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220-3
Pacchetto / casoTO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Scheda tecnica IRFIB7N50LPBF

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IRFIB7N50LPBF FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IRFIB7N50LPBF is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IRFIB7N50LPBF. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IRFIB7N50LPBF on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IRFIB7N50LPBF products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IRFIB7N50LPBF price and inventory displayed accurate?
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