Name: IRFH8324TR2PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFH8324TR2PBF
Availability: InStock
Rating: 5 (96 reviews)

IRFH8324TR2PBF

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Numero di parte	IRFH8324TR2PBF
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 18A 5X6 PQFN
Scheda dati	IRFH8324TR2PBF Scheda dati
pacchetto	8-PowerTDFN
ECAD
A magazzino	14.916 piece(s)
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Specifiche IRFH8324TR2PBF

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	8-PowerTDFN
ECAD
Serie	HEXFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	23A (Ta), 90A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	31nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2380pF @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3.6W (Ta), 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.1 mOhm @ 20A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PQFN (5x6)
Pacchetto / caso	8-PowerTDFN

Scheda tecnica IRFH8324TR2PBF

IRFH8324TR2PBF Packaging

IRFH8324TR2PBF FAQ

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(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IRFH8324TR2PBF.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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N CHANNEL POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 23A, PQFN-8, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:23A, Drain Source Voltage Vds:30V, On Resistance Rds(on):3.3mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1.8V , RoHS Compliant: Yes

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