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IRFH5406TR2PBF

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Numero di parte IRFH5406TR2PBF
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 60V 40A 5X6 PQFN
Scheda dati
pacchetto -
ECAD
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Specifiche IRFH5406TR2PBF

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto-
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C11A (Ta), 40A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)-
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs35 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1256 pF @ 25 V
Vgs (massimo)-
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs14.4mOhm @ 24A, 10V
temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-PQFN (5x6)
Pacchetto / caso8-PowerVDFN

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Sealing
Packing
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IRFH5406TR2PBF FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IRFH5406TR2PBF is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IRFH5406TR2PBF?
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IRFH5406TR2PBF.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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