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IRFH5301TR2PBF

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Numero di parte IRFH5301TR2PBF
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 30V 35A 5X6 PQFN
Scheda dati
pacchetto -
ECAD
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Specifiche IRFH5301TR2PBF

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto-
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C35A (Ta), 100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)-
Vgs (th) (Max) @ Id2.35V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs77 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds5114 pF @ 15 V
Vgs (massimo)-
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.85mOhm @ 50A, 10V
temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePQFN (5x6) Single Die
Pacchetto / caso8-PowerVDFN

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Sealing
Packing
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IRFH5301TR2PBF FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IRFH5301TR2PBF is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the IRFH5301TR2PBF price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IRFH5301TR2PBF?
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IRFH5301TR2PBF.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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