Name: IRFH5220TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFH5220TRPBF
Availability: InStock
Rating: 5 (137 reviews)

IRFH5220TRPBF

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Numero di parte	IRFH5220TRPBF
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN
Scheda dati	IRFH5220TRPBF Scheda dati
pacchetto	8-VQFN Exposed Pad
ECAD
A magazzino	2.064 piece(s)
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Specifiche IRFH5220TRPBF

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	8-VQFN Exposed Pad
ECAD
Serie	HEXFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	3.8A (Ta), 20A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1380pF @ 50V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	99.9 mOhm @ 5.8A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PQFN (5x6)
Pacchetto / caso	8-VQFN Exposed Pad

Scheda tecnica IRFH5220TRPBF

IRFH5220TRPBF Packaging

IRFH5220TRPBF FAQ

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2. How does Heisener guarantee that IRFH5220TRPBF is from the original manufacturer or authorized agents?

We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IRFH5220TRPBF. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IRFH5220TRPBF on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IRFH5220TRPBF products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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The price and inventory of IRFH5220TRPBF fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IRFH5220TRPBF we delivered, we will accept the replacement or return of the IRFH5220TRPBF only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IRFH5220TRPBF.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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D# 25T5519

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 200V 3.8A 8-Pin PQFN EP T/R - Product that comes on tape, but is not reeled (Alt: 25T5519)

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

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Azione

IRFH5220TRPBF

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N CHANNEL MOSFET, 200V, 3.8A, 8-PQFN, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:3.8A, Drain Source Voltage Vds:200V, On Resistance Rds(on):80mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:5V, No. of Pins:8, RoHS Compliant: Yes

3065

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IRFH5220TRPBF

International Rectifier

RoHS: Compliant

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D# IRFH5220TRPBF-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 200V 3.8A/20A PQFN

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D# 25T5519

Infineon Technologies AG

N CHANNEL MOSFET, 200V, 3.8A, 8-PQFN, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:200V, Continuous Drain Current Id:3.8A, On Resistance Rds(on):0.08ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant

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Container: Cut Tape

1363

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D# NS-IRFH5220TRPBF

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36016

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31985

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Descrizione

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IRFH5220TRPBF

D# 19263003

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 200V 3.8A 8-Pin PQFN EP T/R

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