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IRFC3306EB

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Numero di parte IRFC3306EB
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 60V DIE ON WAFER
Scheda dati
pacchetto -
ECAD
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Specifiche IRFC3306EB

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto-
ECAD
Serie*
Tipo FET-
Tecnologia-
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (massimo)-
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto dispositivo fornitore-
Pacchetto / caso-

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IRFC3306EB FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IRFC3306EB is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IRFC3306EB. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IRFC3306EB on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IRFC3306EB products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IRFC3306EB price and inventory displayed accurate?
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    (1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.
    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IRFC3306EB.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Infineon Technologies AG

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