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IRFB4310ZGPBF

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Numero di parte IRFB4310ZGPBF
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 100V 120A TO-220AB
Scheda dati

IRFB4310ZGPBF Scheda dati

pacchetto TO-220-3
ECAD
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Specifiche IRFB4310ZGPBF

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
SerieHEXFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs170nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds6860pF @ 50V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs6 mOhm @ 75A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB
Pacchetto / casoTO-220-3

Scheda tecnica IRFB4310ZGPBF

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IRFB4310ZGPBF FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IRFB4310ZGPBF is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IRFB4310ZGPBF. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IRFB4310ZGPBF on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IRFB4310ZGPBF products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IRFB4310ZGPBF price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IRFB4310ZGPBF?
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