Name: IRFB4233PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFB4233PBF
Availability: InStock
Rating: 5 (190 reviews)

IRFB4233PBF

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Numero di parte	IRFB4233PBF
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 230V 56A TO-220AB
Scheda dati	IRFB4233PBF Scheda dati
pacchetto	TO-220-3
ECAD
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Specifiche IRFB4233PBF

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-220-3
ECAD
Serie	HEXFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	230V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	56A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	170nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	5510pF @ 25V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	370W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	37 mOhm @ 28A, 10V
temperatura di esercizio	-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220AB
Pacchetto / caso	TO-220-3

Scheda tecnica IRFB4233PBF

IRFB4233PBF Packaging

IRFB4233PBF FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IRFB4233PBF we delivered, we will accept the replacement or return of the IRFB4233PBF only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IRFB4233PBF.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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