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IRFB4229PBF

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Numero di parte IRFB4229PBF
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 250V 46A TO-220AB
Scheda dati

IRFB4229PBF Scheda dati

pacchetto TO-220-3
ECAD
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Specifiche IRFB4229PBF

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
SerieHEXFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)250V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C46A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs110nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds4560pF @ 25V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)330W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs46 mOhm @ 26A, 10V
temperatura di esercizio-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB
Pacchetto / casoTO-220-3

Scheda tecnica IRFB4229PBF

IRFB4229PBF Packaging

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Sealing
Packing
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IRFB4229PBF FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IRFB4229PBF is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IRFB4229PBF. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IRFB4229PBF on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IRFB4229PBF products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IRFB4229PBF price and inventory displayed accurate?
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    Warm Tips: It may take up to 24 hours for the carriers to display tracking information. Usually, express delivery takes 3-5 days, and registered mail takes 25-60 days.
  • 6. What is the process for return or replacement of IRFB4229PBF?
    All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IRFB4229PBF we delivered, we will accept the replacement or return of the IRFB4229PBF only when all of the below conditions are fulfilled:
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
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Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Bulk (Alt: IRFB4229PBF)

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Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB (Alt: SP001565910)

0
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International Rectifier

MOS, 250V/46A.

0
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Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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MOSFET N-CH 250V 46A TO-220AB

20
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MOSFET N-CH 250V 46A TO220AB

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MOSFET, N, 250V, TO-220AB

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Single N-Channel 250 V 46 mOhm 72 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3

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0
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Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

23200
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IRFB4229PBF

Infineon Technologies AG

N-Channel 46A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB

RoHS: Compliant
4573
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Infineon Technologies AG

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250V SINGLE N-CHANNEL HEXFET POWER MOSFET PDP SWITCH

190
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N CHANNEL MOSFET, HEXFET, 250V, 46A, TO-220AB, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:250V, Continuous Drain Current Id:46A, On Resistance Rds(on):0.038ohm, Transistor Mounting:Through Hole, Threshold Voltage Vgs:5V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Bulk
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N-Channel MOSFET, 46 A, 250 V, 3-Pin TO-220AB Infineon IRFB4229PBF, EA

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IRFB4229 - 12V-300V N-Channel Power MOSFET

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