Name: IRFB3607GPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFB3607GPBF
Availability: InStock
Rating: 5 (140 reviews)

IRFB3607GPBF

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Numero di parte	IRFB3607GPBF
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB
Scheda dati	IRFB3607GPBF Scheda dati
pacchetto	TO-220-3
ECAD
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Specifiche IRFB3607GPBF

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-220-3
ECAD
Serie	HEXFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	75V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	80A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	84nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3070pF @ 50V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9 mOhm @ 46A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220AB
Pacchetto / caso	TO-220-3

Scheda tecnica IRFB3607GPBF

IRFB3607GPBF Packaging

IRFB3607GPBF FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IRFB3607GPBF we delivered, we will accept the replacement or return of the IRFB3607GPBF only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IRFB3607GPBF.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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