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IRFB3077GPBF

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Numero di parte IRFB3077GPBF
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB
Scheda dati

IRFB3077GPBF Scheda dati

pacchetto TO-220-3
ECAD
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Specifiche IRFB3077GPBF

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
SerieHEXFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)75V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs220nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds9400pF @ 50V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)370W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.3 mOhm @ 75A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB
Pacchetto / casoTO-220-3

Scheda tecnica IRFB3077GPBF

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IRFB3077GPBF FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IRFB3077GPBF is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IRFB3077GPBF. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IRFB3077GPBF on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IRFB3077GPBF products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IRFB3077GPBF price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IRFB3077GPBF?
    All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IRFB3077GPBF we delivered, we will accept the replacement or return of the IRFB3077GPBF only when all of the below conditions are fulfilled:
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