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IRFB17N60KPBF

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Numero di parte IRFB17N60KPBF
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N-CH 600V 17A TO-220AB
Scheda dati

IRFB17N60KPBF Scheda dati

pacchetto TO-220-3
ECAD
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Specifiche IRFB17N60KPBF

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C17A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs99nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2700pF @ 25V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)340W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs420 mOhm @ 10A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB
Pacchetto / casoTO-220-3

Scheda tecnica IRFB17N60KPBF

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IRFB17N60KPBF FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IRFB17N60KPBF is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the IRFB17N60KPBF price and inventory displayed accurate?
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