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IRF9953TR

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IRF9953TR

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Numero di parte IRF9953TR
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
Scheda dati

IRF9953TR Scheda dati

pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche IRF9953TR

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SerieHEXFET?
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs250 mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds190pF @ 15V
Potenza - Max2W
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

Scheda tecnica IRF9953TR

IRF9953TR Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

IRF9953TR FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IRF9953TR is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IRF9953TR. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IRF9953TR on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IRF9953TR products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IRF9953TR price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IRF9953TR?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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D# V72:2272_13889903

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET P-CH Si 30V 2.3A 8-Pin SOIC T/R

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# IRF9953TRPBF

International Rectifier

Transistor MOSFET Array Dual P-CH 30V 2.3A 8-Pin SOIC T/R - Bulk (Alt: IRF9953TRPBF)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# SP001555962

Infineon Technologies AG

Transistor MOSFET Array Dual P-CH 30V 2.3A 8-Pin SOIC T/R (Alt: SP001555962)

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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International Rectifier

Transistor: P-MOSFET x2, unipolar, -30V, -2.3A, 2W, SO8

0

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International Rectifier

Transistor: P-MOSFET x2, unipolar, -30V, -2.3A, 2W, SO8

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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Infineon Technologies AG

DualP-Channel -30V 2.3A 1V @ 250uA 250mohms @ 1A,10V 2W SO-8_3.9mm MOSFET RoHS

12325
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IRF9953TR

D# IRF9953TR-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC

0

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D# IRF9953PBFCT-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SO

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335
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D# 2725931RL

Infineon Technologies AG

MOSFET, DUAL P CH, -30V, -2.3A, SOIC-8

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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Infineon Technologies AG

Dual P-Channel 30 V 0.4 Ohm 12 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

5314

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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

4971
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D# C169766

Infineon Technologies AG

12325
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MOSFET MOSFT DUAL PCh -30V 2.3A

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D# 13AC9223

Infineon Technologies AG

MOSFET, P-CH, 30V, 2.3A, 150DEG C, 2W, Transistor Polarity:P Channel, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:2.3A, On Resistance Rds(on):0.165ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
401
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# NS-IRF9953TRPBF

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D# NS-IRF9953TR

International Rectifier

OEM/CM ONLY

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IRF9953TR-CT

D# NS-IRF9953TR-CT

PHI

OEM/CM ONLY

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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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IRF9953 - HEXFET Power MOSFET

RoHS: Compliant
22000
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MOSFET, DUAL P CH, -30V, -2.3A, SOIC-8

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