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IRF8788PBF

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Numero di parte IRF8788PBF
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO
Scheda dati

IRF8788PBF Scheda dati

pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche IRF8788PBF

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SerieHEXFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C24A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.35V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs66nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds5720pF @ 15V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.8 mOhm @ 24A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Scheda tecnica IRF8788PBF

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IRF8788PBF FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IRF8788PBF is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IRF8788PBF. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IRF8788PBF on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IRF8788PBF products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IRF8788PBF price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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