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IRF8707GTRPBF

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IRF8707GTRPBF

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Numero di parte IRF8707GTRPBF
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Scheda dati

IRF8707GTRPBF Scheda dati

pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche IRF8707GTRPBF

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SerieHEXFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C11A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.3nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds760pF @ 15V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs11.9 mOhm @ 11A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Scheda tecnica IRF8707GTRPBF

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IRF8707GTRPBF FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IRF8707GTRPBF is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IRF8707GTRPBF. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IRF8707GTRPBF on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IRF8707GTRPBF products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IRF8707GTRPBF price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IRF8707GTRPBF?
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    (1)Inform us within 90 days
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HEXFET Power MOSFET N-Channel 30V 11A 8-Pin SOIC - Bulk (Alt: IRF8707GTRPBFDKR)

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Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R - Bulk (Alt: IRF8707GTRPBF)

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1569
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MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

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N VDS=30V VGS=20V ID=11A

1400
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Rochester Electronics LLC

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MOSFET, N-CH, 30V, 11A, SOIC-8

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Infineon Technologies AG

MOSFET MOSFT 30V 11A 11.9mOhm 6.2nC

RoHS: Compliant
1
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D# 91Y4759

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 30V, 11A, SOIC-8, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:11A, Drain Source Voltage Vds:30V, On Resistance Rds(on):0.0093ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1.8V, Power RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
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N-Channel MOSFET, 11 A, 30 V, 8-Pin SOIC Infineon IRF8707GTRPBF, RL

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MOSFET, N-CH, 30V, 11A, SOIC-8

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