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IRF7905TRPBF

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Numero di parte IRF7905TRPBF
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SOIC
Scheda dati

IRF7905TRPBF Scheda dati

pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche IRF7905TRPBF

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SerieHEXFET?
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C7.8A, 8.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs21.8 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.25V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.9nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds600pF @ 15V
Potenza - Max2W
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

Scheda tecnica IRF7905TRPBF

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Packing
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IRF7905TRPBF FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IRF7905TRPBF is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the IRF7905TRPBF price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IRF7905TRPBF?
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Trans MOSFET N-CH 30V 7.8A/8.9A 8-Pin SOIC T/R

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MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 8.9A

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MOSFET, DUAL N-CH, 30V, 7.8A, SOIC-8, Transistor Polarity:Dual N Channel, Continuous Drain Current Id:7.8A, Drain Source Voltage Vds:30V, On Resistance Rds(on):0.0174ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1.8V, RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
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