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IRF7807D2TRPBF

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IRF7807D2TRPBF

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Numero di parte IRF7807D2TRPBF
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
Scheda dati

IRF7807D2TRPBF Scheda dati

pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche IRF7807D2TRPBF

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SerieFETKY?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C8.3A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (massimo)±12V
Caratteristica FETSchottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max)2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs25 mOhm @ 7A, 4.5V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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IRF7807D2TRPBF Packaging

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  • 2. How does Heisener guarantee that IRF7807D2TRPBF is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the IRF7807D2TRPBF price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IRF7807D2TRPBF?
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