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IRF7467TRPBF

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Numero di parte IRF7467TRPBF
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Scheda dati

IRF7467TRPBF Scheda dati

pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche IRF7467TRPBF

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SerieHEXFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C11A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)2.8V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs32nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2530pF @ 15V
Vgs (massimo)±12V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs12 mOhm @ 11A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IRF7467TRPBF. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IRF7467TRPBF on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IRF7467TRPBF products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IRF7467TRPBF price and inventory displayed accurate?
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