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IRF7306TRPBF

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Numero di parte IRF7306TRPBF
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
Scheda dati

IRF7306TRPBF Scheda dati

pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche IRF7306TRPBF

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SerieHEXFET?
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs100 mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds440pF @ 25V
Potenza - Max2W
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

Scheda tecnica IRF7306TRPBF

IRF7306TRPBF Packaging

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Sealing
Packing
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IRF7306TRPBF FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IRF7306TRPBF is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IRF7306TRPBF. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IRF7306TRPBF on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IRF7306TRPBF products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IRF7306TRPBF price and inventory displayed accurate?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IRF7306TRPBF?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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D# V72:2272_13891122

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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Infineon Technologies AG

Transistor MOSFET Array Dual P-CH 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R - Tape and Reel (Alt: IRF7306TRPBF)

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# SP001554154

Infineon Technologies AG

Transistor MOSFET Array Dual P-CH 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R (Alt: SP001554154)

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IRF7306TRPBF

International Rectifier

Min Qty 4000

16000
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D# C1S322000483381

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
Min Qty: 5
Container: Cut Tape
3728
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International Rectifier

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# IRF7306PBFCT-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC

14938
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IRF7306TRPBF

D# 2468004

Infineon Technologies AG

MOSFET, DUAL P CH, -30V, -3.6A, SOIC-8

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
1240
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IRF7306TRPBF

International Rectifier

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

15324
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Infineon Technologies AG

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180000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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MOSFET MOSFT DUAL PCh -30V 3.6A

RoHS: Compliant
4362
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Dual P-Channel 30 V 0.16 Ohm 25 nC HEXFET Power Mosfet - SOIC-8

4000
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D# 29AC7076

Infineon Technologies AG

Transistor Polarity:P Channel, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:3.6A, On Resistance Rds(on):0.1ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1V, No. of Pins:8PinsRoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 4000
Container: TAPE & REEL - FULL
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D# 42Y0401

Infineon Technologies AG

MOSFET, P-CH, 30V, 3.6A, 150DEG C, 2W, Transistor Polarity:P Channel, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:3.6A, On Resistance Rds(on):0.1ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
1240
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D# NS-IRF7306TRPBF

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OEM/CM ONLY

7382
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3 A, 30 V, 0.1 ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

3160
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D# TMOSP11866

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2P-CH -30V 3,6A 100mOhm SO8

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D# 43698253

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Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R

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6108
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MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC

4600
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MOSFET, DUAL P CH, -30V, -3.6A, SOIC-8

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