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IRF7233TR

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Numero di parte IRF7233TR
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET P-CH 12V 9.5A 8-SOIC
Scheda dati

IRF7233TR Scheda dati

pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche IRF7233TR

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SerieHEXFET?
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C9.5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id600mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs74nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds6000pF @ 10V
Vgs (massimo)±12V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs20 mOhm @ 9.5A, 4.5V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Scheda tecnica IRF7233TR

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IRF7233TR FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IRF7233TR is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IRF7233TR. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IRF7233TR on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IRF7233TR products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IRF7233TR price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IRF7233TR?
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