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IRF6785MTR1PBF

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Numero di parte IRF6785MTR1PBF
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
Scheda dati

IRF6785MTR1PBF Scheda dati

pacchetto DirectFET? Isometric MZ
ECAD
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Specifiche IRF6785MTR1PBF

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoDirectFET? Isometric MZ
ECAD
SerieHEXFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3.4A (Ta), 19A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs36nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1500pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)2.8W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs100 mOhm @ 4.2A, 10V
temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreDIRECTFET? MZ
Pacchetto / casoDirectFET? Isometric MZ

Scheda tecnica IRF6785MTR1PBF

IRF6785MTR1PBF Packaging

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Sealing
Packing
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IRF6785MTR1PBF FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IRF6785MTR1PBF is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IRF6785MTR1PBF. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IRF6785MTR1PBF on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IRF6785MTR1PBF products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IRF6785MTR1PBF price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IRF6785MTR1PBF?
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    (1)Inform us within 90 days
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