Name: IRF6662TR1PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF6662TR1PBF
Availability: InStock
Rating: 5 (94 reviews)

IRF6662TR1PBF

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Numero di parte	IRF6662TR1PBF
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
Scheda dati	IRF6662TR1PBF Scheda dati
pacchetto	DirectFET? Isometric MZ
ECAD
A magazzino	2.720 piece(s)
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Specifiche IRF6662TR1PBF

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	DirectFET? Isometric MZ
ECAD
Serie	HEXFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	8.3A (Ta), 47A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.9V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	31nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1360pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22 mOhm @ 8.2A, 10V
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	DIRECTFET? MZ
Pacchetto / caso	DirectFET? Isometric MZ

Scheda tecnica IRF6662TR1PBF

IRF6662TR1PBF Packaging

IRF6662TR1PBF FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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D# IRF6662TR1PBFTR-ND

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