Name: IRF6629TR1PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF6629TR1PBF
Availability: InStock
Rating: 5 (109 reviews)

IRF6629TR1PBF

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Numero di parte	IRF6629TR1PBF
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
Scheda dati	IRF6629TR1PBF Scheda dati
pacchetto	DirectFET? Isometric MX
ECAD
A magazzino	3.840 piece(s)
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Specifiche IRF6629TR1PBF

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	DirectFET? Isometric MX
ECAD
Serie	HEXFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	29A (Ta), 180A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	51nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4260pF @ 13V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.8W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.1 mOhm @ 29A, 10V
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	DIRECTFET? MX
Pacchetto / caso	DirectFET? Isometric MX

Scheda tecnica IRF6629TR1PBF

IRF6629TR1PBF Packaging

IRF6629TR1PBF FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Single N-Channel 25 V 2.8 W 34 nC Power Mosfet Surface Mount - DirectFET

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D# IRF6629TR1PBFTR-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET

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Infineon Technologies AG

MOSFET, N, DIRECTFET, MX

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3025

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 29A I(D), 25V, 0.0021OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET

3000

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Semiconductor

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