Name: IRF640,127
Brand: NXP
SKU: IRF640-127
Availability: InStock
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IRF640,127

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Numero di parte	IRF640,127
Produttore	NXP
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB
Scheda dati	IRF640,127 Scheda dati
pacchetto	TO-220-3
ECAD
A magazzino	7.536 piece(s)
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Specifiche IRF640,127

Produttore	NXP
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-220-3
ECAD
Serie	TrenchMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	16A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	63nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1850pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180 mOhm @ 8A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220AB
Pacchetto / caso	TO-220-3

Scheda tecnica IRF640,127

IRF640,127 Packaging

IRF640,127 FAQ

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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IRF640,127

D# 568-1161-5-ND

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MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB

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IRF640127

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OEM/CM ONLY

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IRF640-127

D# NS-IRF640-127

NXP Semiconductors

OEM/CM ONLY

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