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IRF630NSTRLPBF

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IRF630NSTRLPBF

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Numero di parte IRF630NSTRLPBF
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
Scheda dati

IRF630NSTRLPBF Scheda dati
pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche IRF630NSTRLPBF

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieHEXFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C9.3A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs35nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds575pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)82W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs300 mOhm @ 5.4A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica IRF630NSTRLPBF

IRF630NSTRLPBF Packaging

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Sealing
Packing
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IRF630NSTRLPBF FAQ

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    Currently, Heisener only provide peer-to-peer order processing. While you submit the RFQ, our professional agent will contact you with the competitive prices in the global market, and our agent will prompt you to finish the order if you accept our offers.
  • 2. How does Heisener guarantee that IRF630NSTRLPBF is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IRF630NSTRLPBF. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IRF630NSTRLPBF on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IRF630NSTRLPBF products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IRF630NSTRLPBF price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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    Warm Tips: It may take up to 24 hours for the carriers to display tracking information. Usually, express delivery takes 3-5 days, and registered mail takes 25-60 days.
  • 6. What is the process for return or replacement of IRF630NSTRLPBF?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
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Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

 0
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Trans MOSFET N-CH 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Bulk (Alt: IRF630NSTRLPBF)

RoHS: Compliant
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# SP001564548

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R (Alt: SP001564548)

RoHS: Compliant
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IRF630NSTRLPBF

 International Rectifier

Min Qty 800

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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# IRF630NSTRLPBFCT-ND

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MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK

 611
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MOSFET, N-CH, 200V, 9.3A, TO-263

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 Infineon Technologies AG

Single N-Channel 200 V 0.3 Ohm 35 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK

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pbFree: Yes
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 Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

 29696
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N-Channel 9.3A (Tc) 82W (Tc) Surface Mount D2PAK

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MOSFET MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC

RoHS: Compliant
 123
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D# XSKDRABS0006693

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D2PAK/200V SINGLE N-CHANNEL HEXFET POWER MOSFET IN A D2-PAK PACKAGE

 14400
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MOSFET, N-CH, 200V, 9.3A, TO-263, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:9.3A, Drain Source Voltage Vds:200V, On Resistance Rds(on):0.3ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:4V, Power DissipationRoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
 486
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N-Channel MOSFET, 9.3 A, 200 V, 3-Pin D2PAK Infineon IRF630NSTRLPBF, RL

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IRF630 - 12V-300V N-Channel Power MOSFET

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N-CH 200V 9,3A 300mOhm D2PAK

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Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK

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