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IRF630NLPBF

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Numero di parte IRF630NLPBF
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262
Scheda dati

IRF630NLPBF Scheda dati

pacchetto TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
ECAD
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Specifiche IRF630NLPBF

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
ECAD
SerieHEXFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C9.3A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs35nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds575pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)82W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs300 mOhm @ 5.4A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-262
Pacchetto / casoTO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

Scheda tecnica IRF630NLPBF

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IRF630NLPBF FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IRF630NLPBF is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IRF630NLPBF. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IRF630NLPBF on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IRF630NLPBF products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IRF630NLPBF price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IRF630NLPBF?
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