Name: IRF630B_FP001
Brand: Fairchild/ON Semiconductor
SKU: IRF630B_FP001
Availability: InStock
Rating: 5 (153 reviews)

IRF630B_FP001

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Numero di parte	IRF630B_FP001
Produttore	Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
Scheda dati	IRF630B_FP001 Scheda dati
pacchetto	TO-220-3
ECAD
A magazzino	2.032 piece(s)
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Specifiche IRF630B_FP001

Produttore	Fairchild/ON Semiconductor
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-220-3
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	9A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	29nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	720pF @ 25V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	72W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400 mOhm @ 4.5A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220-3
Pacchetto / caso	TO-220-3

Scheda tecnica IRF630B_FP001

IRF630B_FP001 Packaging

IRF630B_FP001 FAQ

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3. Are the IRF630B_FP001 price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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MOSFET N-CH 200V 9A TO-220

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ON Semiconductor

MOSFET N-CH 200V 9A TO220-3

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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

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