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IRF6215L-103PBF

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Numero di parte IRF6215L-103PBF
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET P-CH 150V 13A TO-262
Scheda dati

IRF6215L-103PBF Scheda dati

pacchetto TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
ECAD
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Specifiche IRF6215L-103PBF

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
ECAD
SerieHEXFET?
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)150V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C13A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs66nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds860pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)3.8W (Ta), 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs290 mOhm @ 6.6A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-262
Pacchetto / casoTO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

Scheda tecnica IRF6215L-103PBF

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  • 2. How does Heisener guarantee that IRF6215L-103PBF is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the IRF6215L-103PBF price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IRF6215L-103PBF?
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