Name: IRF3710ZGPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF3710ZGPBF
Availability: InStock
Rating: 5 (127 reviews)

IRF3710ZGPBF

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Numero di parte	IRF3710ZGPBF
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB
Scheda dati	IRF3710ZGPBF Scheda dati
pacchetto	TO-220-3
ECAD
A magazzino	2.608 piece(s)
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Specifiche IRF3710ZGPBF

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-220-3
ECAD
Serie	HEXFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	59A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	120nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2900pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18 mOhm @ 35A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220AB
Pacchetto / caso	TO-220-3

Scheda tecnica IRF3710ZGPBF

IRF3710ZGPBF Packaging

IRF3710ZGPBF FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IRF3710ZGPBF.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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D# IRF3710ZGPBF-ND

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