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IRF3707STRRPBF

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Numero di parte IRF3707STRRPBF
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
Scheda dati

IRF3707STRRPBF Scheda dati

pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche IRF3707STRRPBF

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieHEXFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C62A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1990pF @ 15V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)87W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs12.5 mOhm @ 15A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica IRF3707STRRPBF

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  • 2. How does Heisener guarantee that IRF3707STRRPBF is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the IRF3707STRRPBF price and inventory displayed accurate?
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