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IRF3706LPBF

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Numero di parte IRF3706LPBF
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 20V 77A TO-262
Scheda dati

IRF3706LPBF Scheda dati

pacchetto TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
ECAD
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Specifiche IRF3706LPBF

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
ECAD
SerieHEXFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C77A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)2.8V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs35nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2410pF @ 10V
Vgs (massimo)±12V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.5 mOhm @ 15A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-262
Pacchetto / casoTO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

Scheda tecnica IRF3706LPBF

IRF3706LPBF Packaging

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Packing
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IRF3706LPBF FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IRF3706LPBF is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IRF3706LPBF. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IRF3706LPBF on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IRF3706LPBF products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IRF3706LPBF price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IRF3706LPBF?
    All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IRF3706LPBF we delivered, we will accept the replacement or return of the IRF3706LPBF only when all of the below conditions are fulfilled:
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Transistor: N-MOSFET, unipolar, 20V, 77A, 88W, TO262

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