| Numero di parte | IRF200B211 |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH 200V 12A TO-220AB |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-220-3 |
| ECAD |
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| A magazzino | 103.464 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Spedizione immediata |
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| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-220-3 |
| ECAD |
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| Serie | HEXFET?, StrongIRFET? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.9V @ 50µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 790pF @ 50V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 80W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170 mOhm @ 7.2A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 |
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1812J0500151KAT | Knowles Syfer, CAP CER 1812, -, HEXFET?, StrongIRFET? | Visualizza |
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0603Y1000181JAR | Knowles Syfer, CAP CER 0603, -, HEXFET?, StrongIRFET? | Visualizza |
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ANT-868-PML | Linx Technologies Inc., ANTENNA 868MHZ WHIP, -, HEXFET?, StrongIRFET? | Visualizza |
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CP00022K000JB14 | Vishay Dale, RES 2K OHM 2W 5% AXIAL, Axial, HEXFET?, StrongIRFET? | Visualizza |
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RN55C1202DBSL | Vishay Dale, RES 12K OHM 1/8W .5% AXIAL, Axial, HEXFET?, StrongIRFET? | Visualizza |
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RN55D7R50FRE6 | Vishay Dale, RES 7.5 OHM 1/8W 1% AXIAL, Axial, HEXFET?, StrongIRFET? | Visualizza |
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929850-01-13-RB | 3M, CONN SOCKET 13POS STR .100" GOLD, -, HEXFET?, StrongIRFET? | Visualizza |
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DW-03-09-L-S-280 | Samtec Inc., .025" BOARD SPACERS, -, HEXFET?, StrongIRFET? | Visualizza |
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D38999/20WD5BD | Souriau, 8D 5C 5#16 RECP, -, HEXFET?, StrongIRFET? | Visualizza |
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D38999/24WJ43BC | TE Connectivity Deutsch Connectors, CONN RCPT HSG FMALE 43POS PNL MT, -, HEXFET?, StrongIRFET? | Visualizza |
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D38999/24WG11AB | Amphenol Aerospace Operations, CONN RCPT HSNG MALE 11POS PNL MT, -, HEXFET?, StrongIRFET? | Visualizza |
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VI-J4F-CX-F2 | Vicor Corporation, CONVERTER MOD DC/DC 72V 75W, Half Brick, HEXFET?, StrongIRFET? | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IRF200B211 D# V99:2348_13890889 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IRF200B211 D# IRF200B211 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 200V 12A 3-Pin TO-220 Tube - Rail/Tube (Alt: IRF200B211) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IRF200B211 D# SP001561622 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 200V 12A 3-Pin TO-220 Tube (Alt: SP001561622) |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IRF200B211 D# IRF200B211-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB |
2043 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IRF200B211 D# 2709978 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 200V, 12A, TO-220AB RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
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1102 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IRF200B211 |
Infineon Technologies AG |
Single N-Channel 200 V 170 mOhm 15.3 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3 RoHS: Compliant
pbFree: Yes
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IRF200B211 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
9570 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IRF200B211 D# 942-IRF200B211 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET TRENCH >=100V RoHS: Compliant
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5517 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IRF200B211 D# XSKDRABV0055703 |
Infineon Technologies AG | 6250 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IRF200B211 D# 12AC9749 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 200V, 12A, TO-220AB, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:12A, Drain Source Voltage Vds:200V, On Resistance Rds(on):0.135ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:4.9V, Power RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Bulk
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1102 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IRF200B211 |
Infineon Technologies AG |
IRF200B - 12V-300V N-Channel Power MOSFET RoHS: Compliant
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109 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IRF200B211 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
6016 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IRF200B211 D# 36732517 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IRF200B211 D# 2709978 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 200V, 12A, TO-220AB RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
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1102 |
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