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IRF1010EZPBF

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Numero di parte IRF1010EZPBF
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
Scheda dati

IRF1010EZPBF Scheda dati

pacchetto TO-220-3
ECAD
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Specifiche IRF1010EZPBF

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
SerieHEXFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C75A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs86nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2810pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.5 mOhm @ 51A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB
Pacchetto / casoTO-220-3

Scheda tecnica IRF1010EZPBF

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IRF1010EZPBF FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IRF1010EZPBF is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the IRF1010EZPBF price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IRF1010EZPBF?
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Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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Trans MOSFET N-CH 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Bulk (Alt: 63J7168)

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Trans MOSFET N-CH 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB (Alt: SP001571244)

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Transistor: N-MOSFET, unipolar, HEXFET, 60V, 84A, 140W,

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MOSFET, N, 60V, 84A, TO-220

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Single N-Channel 60 V 8.5 mOhm 86 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3

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MOSFET MOSFT 60V 84A 8.5mOhm 58nC

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1993
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Infineon Technologies AG

N CHANNEL MOSFET, 60V, 75A TO-220AB, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:60V, Continuous Drain Current Id:75A, On Resistance Rds(on):0.0085ohm, Transistor Mounting:Through Hole, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, MSL:-RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Bulk
18
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N-Channel MOSFET, 84 A, 60 V, 3-Pin TO-220AB Infineon IRF1010EZPBF, PK

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