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IPW60R190P6

IPW60R190P6

IPW60R190P6

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Numero di parte IPW60R190P6
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247
Scheda dati

IPW60R190P6 Scheda dati
pacchetto TO-247-3
ECAD
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Specifiche IPW60R190P6

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-247-3
ECAD
SerieCoolMOS? P6
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C20.2A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 630µ
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1750pF @ 100V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)151W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs190 mOhm @ 7.6A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO247-3
Pacchetto / casoTO-247-3

Scheda tecnica IPW60R190P6

IPW60R190P6 Packaging

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Sealing
Packing
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IPW60R190P6 FAQ

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    Currently, Heisener only provide peer-to-peer order processing. While you submit the RFQ, our professional agent will contact you with the competitive prices in the global market, and our agent will prompt you to finish the order if you accept our offers.
  • 2. How does Heisener guarantee that IPW60R190P6 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPW60R190P6. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPW60R190P6 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPW60R190P6 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IPW60R190P6 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IPW60R190P6?
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IPW60R190P6FKSA1

D# E02:0323_07105882

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

RoHS: Compliant
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPW60R190P6

D# IPW60R190P6

 Infineon Technologies AG

- Bulk (Alt: IPW60R190P6)

 0

IPW60R190P6FKSA1

D# 54X5233

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin TO-247 Tube - Bulk (Alt: 54X5233)

RoHS: Compliant
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPW60R190P6FKSA1

D# SP001017090

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin TO-247 Tube (Alt: SP001017090)

 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPW60R190P6

 Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247

 1553
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPW60R190P6FKSA1

D# C1S322000383027

 Infineon Technologies AG

MOSFET

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 215
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IPW60R190P6

 Infineon Technologies AG

RoHS (ship within 1day) - D/C 2016

 80
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPW60R190P6FKSA1

D# IPW60R190P6FKSA1-ND

 Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3

 60

IPW60R190P6

D# 2156-IPW60R190P6-ND

 Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247

 30
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 Infineon Technologies AG

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 188
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPW60R190P6FKSA1

D# 2420505

 Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 600V, 20.2A, TO-247-3

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
 2374
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPW60R190P6FKSA1

 Infineon Technologies AG

N-Channel 600 V 20.2 A 190 mΩ 37 nC CoolMOS P6 Power Transistor - TO-247

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPW60R190P6FKSA1

 Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

 2815

IPW60R190P6

 Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

 1670
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPW60R190P6

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OEM/CM Immediate delivery

 7200
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPW60R190P6

D# 726-IPW60R190P6

 Infineon Technologies AG

MOSFET HIGH POWER_PRC/PRFRM

RoHS: Compliant
 296
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IPW60R190P6FKSA1

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 Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 600V, 20.2A, 151W, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:600V, Continuous Drain Current Id:20.2A, On Resistance Rds(on):0.171ohm, Transistor Mounting:Through Hole, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, MSL:- RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Bulk
 963
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPW60R190P6

D# NS-IPW60R190P6

 Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

 1934
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IPW60R190P6

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IPW60R190P6FKSA1

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N-Channel MOSFET, 20 A, 650 V, 3-Pin TO-247 Infineon IPW60R190P6FKSA1, PK

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IPW60R190P6

 Infineon Technologies AG

IPW60R190 - 600V CoolMOS N-Channel Power MOSFET

RoHS: Compliant
 30
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IPW60R190P6

 Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

 116

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OEM/CM ONLY

 2477
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IPW60R190P6

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Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R190P6FKSA1

D# 36847671

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

RoHS: Compliant
 0
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IPW60R190P6

 Infineon Technologies AG

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

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IPW60R190P6FKSA1

D# 2420505

 Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 600V, 20.2A, TO-247-3

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