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IPW60R125P6XKSA1

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IPW60R125P6XKSA1

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Numero di parte IPW60R125P6XKSA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 600V TO247-3
Scheda dati

IPW60R125P6XKSA1 Scheda dati

pacchetto TO-247-3
ECAD
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Specifiche IPW60R125P6XKSA1

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-247-3
ECAD
SerieCoolMOS? P6
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C30A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 960µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs56nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2660pF @ 100V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)219W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs125 mOhm @ 11.6A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO247-3
Pacchetto / casoTO-247-3

Scheda tecnica IPW60R125P6XKSA1

IPW60R125P6XKSA1 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

IPW60R125P6XKSA1 FAQ

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    Currently, Heisener only provide peer-to-peer order processing. While you submit the RFQ, our professional agent will contact you with the competitive prices in the global market, and our agent will prompt you to finish the order if you accept our offers.
  • 2. How does Heisener guarantee that IPW60R125P6XKSA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPW60R125P6XKSA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPW60R125P6XKSA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPW60R125P6XKSA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IPW60R125P6XKSA1 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IPW60R125P6XKSA1?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPW60R125P6XKSA1

D# V99:2348_06377537

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPW60R125P6XKSA1

D# IPW60R125P6XKSA1

Infineon Technologies AG

MOS Power Transistors HV (>= 200V) - Bulk (Alt: IPW60R125P6XKSA1)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPW60R125P6XKSA1

D# SP001114656

Infineon Technologies AG

MOS Power Transistors HV (>= 200V) (Alt: SP001114656)

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPW60R125P6XKSA1

D# IPW60R125P6XKSA1-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3

51
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPW60R125P6XKSA1

D# 2709928

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 600V, 30A, TO-247

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
1
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPW60R125P6XKSA1

Infineon Technologies AG

Single N-Channel 600 V 125 mOhm 56 nC CoolMOS™ Power Mosfet - TO-247-3

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPW60R125P6XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

71
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPW60R125P6

D# 726-IPW60R125P6

Infineon Technologies AG

MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM

RoHS: Compliant
47

IPW60R125P6XKSA1

D# 726-IPW60R125P6XKSA1

Infineon Technologies AG

MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM

RoHS: Compliant
78
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPW60R125P6XKSA1

D# XSKDRABS0108252

Infineon Technologies AG

TO247-3/600V CoolMOS P6 Power Transistor

150
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPW60R125P6XKSA1

D# 12AC9736

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 600V, 30A, TO-247, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:30A, Drain Source Voltage Vds:600V, On Resistance Rds(on):0.113ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:4V, Power DissipationRoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Bulk
1
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPW60R125P6XKSA1

Infineon Technologies AG

IPW60R125 - 600V CoolMOS N-Channel Power MOSFET

RoHS: Compliant
200
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPW60R125P6XKSA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

47
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Infineon Technologies AG

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D# 36738409

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPW60R125P6XKSA1

D# 2709928

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 600V, 30A, TO-247

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