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IPU60R600C6AKMA1

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Numero di parte IPU60R600C6AKMA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 600V 7.3A TO251
Scheda dati

IPU60R600C6AKMA1 Scheda dati

pacchetto TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
ECAD
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Specifiche IPU60R600C6AKMA1

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
ECAD
SerieCoolMOS? C6
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C7.3A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds440pF @ 100V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs600 mOhm @ 2.4A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO251-3
Pacchetto / casoTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Scheda tecnica IPU60R600C6AKMA1

IPU60R600C6AKMA1 Packaging

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IPU60R600C6AKMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPU60R600C6AKMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the IPU60R600C6AKMA1 price and inventory displayed accurate?
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