* Please refer to the English Version as our Official Version.
| Numero di parte | IPT60R080G7XTMA1 |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 29A HSOF-8 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | 8-PowerSFN |
| ECAD |
|
| A magazzino | 3.728 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
| Tempo di consegna stimato | gen 30 - feb 4 (Scegli una spedizione rapida) |
| Richiedi Preventivo |
|
| Modalità di pagamento | |
| Servizi di consegna |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | 8-PowerSFN |
| ECAD |
|
| Serie | CoolMOS? G7 |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 29A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 490µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1640pF @ 400V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 167W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 9.7A, 10V |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-HSOF-8 |
| Pacchetto / caso | 8-PowerSFN |
|
SIT8208AI-21-28E-18.432000T | SiTime, -40 TO 85C, 3225, 20PPM, 2.8V, 1, -, CoolMOS? G7 | Visualizza |
|
|
2225J0630391FCR | Knowles Syfer, CAP CER 2225, -, CoolMOS? G7 | Visualizza |
|
|
1111Y630P400HQT | Knowles Syfer, CAP CER HIGH Q 1111, -, CoolMOS? G7 | Visualizza |
|
|
MAL204343689E3 | Vishay BC Components, CAP ALUM 68UF 250V AXIAL, Axial, Can, CoolMOS? G7 | Visualizza |
|
B82801A0214A050 | EPCOS (TDK), TRANSF CURRENT SENSE 205UH SMD, -, CoolMOS? G7 | Visualizza |
|
1N5221BDO35E3 | Microsemi Corporation, DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35, DO-204AH, DO-35, Axial, CoolMOS? G7 | Visualizza |
|
CMF55113K00BHEK | Vishay Dale, RES 113K OHM 1/2W .1% AXIAL, Axial, CoolMOS? G7 | Visualizza |
|
YC248-JR-0762RL | Yageo, RES ARRAY 8 RES 62 OHM 1606, 1606, Convex, Long Side Terminals, CoolMOS? G7 | Visualizza |
|
|
927893-5 | TE Connectivity AMP Connectors, CONN QC TAB 12-15AWG 0.110 CRIMP, -, CoolMOS? G7 | Visualizza |
|
|
CA3106E32A10S13 | ITT Cannon, LLC, CONN PLUG 54POS INLINE W/SKTS, -, CoolMOS? G7 | Visualizza |
|
V110A15T300BG3 | Vicor Corporation, CONVERTER MOD DC/DC 15V 300W, Full Brick, CoolMOS? G7 | Visualizza |
|
|
TPS62243QDDCRQ1 | Texas Instruments, STEP DOWN CONVERTER FOR LI-ION B, -, CoolMOS? G7 | Visualizza |
Garantiamo la soddisfazione del cliente al 100%.
Il nostro team di vendita esperto e il team di supporto tecnico supportano i nostri servizi per soddisfare tutti i nostri clienti.
Forniamo una garanzia di 90 giorni.
Se gli articoli che hai ricevuto non fossero di qualità perfetta, saremmo responsabili per il rimborso o la sostituzione, ma gli articoli devono essere restituiti nelle loro condizioni originali.
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPT60R080G7XTMA1 D# V36:1790_17076899 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPT60R080G7XTMA1 D# IPT60R080G7XTMA1 |
Infineon Technologies AG |
Transistor MOSFET N-CH 600V 29A 8-Pin HSOF T/R - Bulk (Alt: IPT60R080G7XTMA1) |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPT60R080G7XTMA1 D# SP001615904 |
Infineon Technologies AG |
Transistor MOSFET N-CH 600V 29A 8-Pin HSOF T/R (Alt: SP001615904) |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPT60R080G7XTMA1 D# IPT60R080G7XTMA1CT-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 650V 29A 8HSOF |
2042 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPT60R080G7XTMA1 D# 2983371 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 600V, 29A, 167W, HSOF RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
|
1 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPT60R080G7XTMA1 |
Infineon Technologies AG |
RoHS: Compliant
pbFree: Yes
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPT60R080G7XTMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
2491 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPT60R080G7XTMA1 D# 726-IPT60R080G7XTMA1 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET HIGH POWER_NEW RoHS: Compliant
|
1419 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPT60R080G7XTMA1 D# 84AC6841 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 600V, 29A, 167W, HSOF, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:29A, Drain Source Voltage Vds:600V, On Resistance Rds(on):0.069ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3.5V, Power RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPT60R080G7XTMA1 |
Infineon Technologies AG |
IPT60R080 - 600V CoolMOS N-Channel Power MOSFET RoHS: Compliant
|
1055 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPT60R080G7XTMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
177 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPT60R080G7XTMA1 D# 2983371 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 600V, 29A, 167W, HSOF RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
|
82 |
L'impegno di Heisener per la qualità ha plasmato i nostri processi di approvvigionamento, test, spedizione e ogni passo intermedio. Questa base è alla base di ogni componente che vendiamo.
Avete qualche domanda circa IPT60R080G7XTMA1?
+86-755-83210559-827
Scansiona per visualizzare questa pagina
