| Numero di parte | IPS05N03LA G |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH 25V 50A IPAK |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| ECAD |
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| A magazzino | 3.232 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
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| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| ECAD |
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| Serie | OptiMOS? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 50µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3110pF @ 15V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 94W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.3 mOhm @ 30A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO251-3 |
| Pacchetto / caso | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPS05N03LA G |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 25V 50A IPAK |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPS05N03LA G D# IPS05N03LAG-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPS05N03LA G D# NS-IPS05N03LA G |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
8816 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPS05N03LAG |
Infineon Technologies AG |
shipping today |
45635 |
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