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IPP60R190E6XKSA1

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Numero di parte IPP60R190E6XKSA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
Scheda dati
pacchetto -
ECAD
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Specifiche IPP60R190E6XKSA1

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto-
ECAD
SerieCoolMOS™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C20.2A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 630µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs63 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1400 pF @ 100 V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)151W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs190mOhm @ 9.5A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO220-3
Pacchetto / casoTO-220-3

IPP60R190E6XKSA1 Packaging

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Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that IPP60R190E6XKSA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the IPP60R190E6XKSA1 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IPP60R190E6XKSA1?
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    (1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.
    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPP60R190E6XKSA1.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
    Two processes to return the products:
    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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