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IPP60R180C7XKSA1

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Numero di parte IPP60R180C7XKSA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 600V 13A TO220-3
Scheda dati

IPP60R180C7XKSA1 Scheda dati

pacchetto TO-220-3
ECAD
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Specifiche IPP60R180C7XKSA1

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
SerieCoolMOS? C7
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C13A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 260µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1080pF @ 400V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs180 mOhm @ 5.3A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO220-3-1
Pacchetto / casoTO-220-3

Scheda tecnica IPP60R180C7XKSA1

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Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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MOS Power Transistors HV (>= 200V) - Rail/Tube (Alt: IPP60R180C7XKSA1)

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MOS Power Transistors HV (>= 200V) (Alt: SP001277624)

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MOSFET N-CH 600V 13A TO220-3

116
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MOSFET, N-CH, 600V, 13A, TO-220-3

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573
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Infineon Technologies AG

IPP60R180C7 Series 600 V 13 A CoolMOS™ C7 Power Transistor - PG-TO-220-3-1

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
0
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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

676
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MOSFET HIGH POWER_NEW

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347
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D# 13AC9083

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 600V, 13A, TO-220-3, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:13A, Drain Source Voltage Vds:600V, On Resistance Rds(on):0.155ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3.5V, Power RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Bulk
499
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Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

73
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D# 36354862

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

RoHS: Compliant
0
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MOSFET, N-CH, 600V, 13A, TO-220-3

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