Name: IPP35CN10N G
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPP35CN10N-G
Availability: InStock
Rating: 5 (193 reviews)

IPP35CN10N G

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Numero di parte	IPP35CN10N G
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 27A TO220-3
Scheda dati	IPP35CN10N G Scheda dati
pacchetto	TO-220-3
ECAD
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Specifiche IPP35CN10N G

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-220-3
ECAD
Serie	OptiMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	27A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 29µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	24nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1570pF @ 50V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	58W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 27A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO-220-3
Pacchetto / caso	TO-220-3

Scheda tecnica IPP35CN10N G

IPP35CN10N G Packaging

IPP35CN10N G FAQ

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2. How does Heisener guarantee that IPP35CN10N G is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the IPP35CN10N G price and inventory displayed accurate?

The price and inventory of IPP35CN10N G fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPP35CN10N G.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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