Name: IPP147N03L G
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPP147N03L-G
Availability: InStock
Rating: 5 (110 reviews)

IPP147N03L G

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Numero di parte	IPP147N03L G
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 20A TO-220-3
Scheda dati	IPP147N03L G Scheda dati
pacchetto	TO-220-3
ECAD
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Specifiche IPP147N03L G

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-220-3
ECAD
Serie	OptiMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	20A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1000pF @ 15V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14.7 mOhm @ 20A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO-220-3
Pacchetto / caso	TO-220-3

Scheda tecnica IPP147N03L G

IPP147N03L G Packaging

IPP147N03L G FAQ

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2. How does Heisener guarantee that IPP147N03L G is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the IPP147N03L G price and inventory displayed accurate?

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IPP147N03L G we delivered, we will accept the replacement or return of the IPP147N03L G only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPP147N03L G.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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