Numero di parte | IPP12CN10N G |
---|---|
Produttore | Infineon Technologies |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 67A TO-220 |
Scheda dati | |
pacchetto | TO-220-3 |
ECAD | |
A magazzino | 5.312 piece(s) |
Prezzo unitario | Request a Quote |
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Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPP12CN10N G |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 100V 67A TO-220 |
0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPP12CN10NG |
Infineon Technologies AG |
Pbf (ship within 1day) - D/C 2010 |
423 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPP12CN10N G D# IPP12CN10NG-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 100V 67A TO220-3 |
0 |
IPP12CN10NGXKSA1 D# IPP12CN10NGXKSA1-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 100V 67A TO220-3 |
0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPP12CN10NG |
VBsemi Electronics Co Ltd |
In stock shipping within 2days |
1000 |
IPP12CN10N G |
VBsemi Electronics Co Ltd |
In stock shipping within 2days |
1000 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPP12CN10NG |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
27144 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPP12CN10N G D# NS-IPP12CN10N G |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
8714 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPP12CN10NG |
Infineon Technologies AG |
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 67A I(D), 100V, 0.0129OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-220AB |
338 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPP12CN10NG |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
516 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPP12CN10NG |
SANYO Semiconductor Co Ltd |
shipping today |
41 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPP12CN10NG |
Infineon Technologies AG |
RFQ |
5486 |
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