Name: IPP12CN10N G
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPP12CN10N-G
Availability: InStock
Rating: 5 (168 reviews)

IPP12CN10N G

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Numero di parte	IPP12CN10N G
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 67A TO-220
Scheda dati	IPP12CN10N G Scheda dati
pacchetto	TO-220-3
ECAD
A magazzino	5.312 piece(s)
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Specifiche IPP12CN10N G

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-220-3
ECAD
Serie	OptiMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	67A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 83µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	65nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4320pF @ 50V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.9 mOhm @ 67A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO-220-3
Pacchetto / caso	TO-220-3

Scheda tecnica IPP12CN10N G

IPP12CN10N G Packaging

IPP12CN10N G FAQ

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We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPP12CN10N G. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPP12CN10N G on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPP12CN10N G products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
3. Are the IPP12CN10N G price and inventory displayed accurate?

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5. How is the shipping arranged?

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IPP12CN10N G we delivered, we will accept the replacement or return of the IPP12CN10N G only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPP12CN10N G.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
7.How to contact us to get technical supports, such as IPP12CN10N G pin diagram, IPP12CN10N G datasheet?

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MOSFET N-CH 100V 67A TO-220

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Pbf (ship within 1day) - D/C 2010

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Infineon Technologies AG

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MOSFET N-CH 100V 67A TO220-3

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Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

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IPP12CN10N G

D# NS-IPP12CN10N G

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

8714

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IPP12CN10NG

Infineon Technologies AG

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 67A I(D), 100V, 0.0129OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-220AB

338

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IPP12CN10NG

Infineon Technologies AG

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