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IPP100N06S3L-03

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IPP100N06S3L-03

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Numero di parte IPP100N06S3L-03
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 55V 100A TO-220
Scheda dati

IPP100N06S3L-03 Scheda dati

pacchetto TO-220-3
ECAD
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Specifiche IPP100N06S3L-03

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 230µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs550nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds26240pF @ 25V
Vgs (massimo)±16V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3 mOhm @ 80A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO220-3-1
Pacchetto / casoTO-220-3

Scheda tecnica IPP100N06S3L-03

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPP100N06S3L-03 is from the original manufacturer or authorized agents?
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Trans MOSFET N-CH 55V 100A 3-Pin TO-220 (Alt: SP000087977)

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