Name: IPP08CN10L G
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPP08CN10L-G
Availability: InStock
Rating: 5 (76 reviews)

IPP08CN10L G

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Numero di parte	IPP08CN10L G
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 98A TO220-3
Scheda dati	IPP08CN10L G Scheda dati
pacchetto	TO-220-3
ECAD
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Specifiche IPP08CN10L G

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-220-3
ECAD
Serie	OptiMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	98A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 130µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	90nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	8610pF @ 50V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 mOhm @ 98A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO-220-3
Pacchetto / caso	TO-220-3

Scheda tecnica IPP08CN10L G

IPP08CN10L G Packaging

IPP08CN10L G FAQ

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2. How does Heisener guarantee that IPP08CN10L G is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the IPP08CN10L G price and inventory displayed accurate?

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IPP08CN10L G we delivered, we will accept the replacement or return of the IPP08CN10L G only when all of the below conditions are fulfilled:

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

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