Name: IPP06CN10NGXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPP06CN10NGXKSA1
Availability: InStock
Rating: 5 (140 reviews)

IPP06CN10NGXKSA1

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Numero di parte	IPP06CN10NGXKSA1
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 100A TO-220
Scheda dati	IPP06CN10NGXKSA1 Scheda dati
pacchetto	TO-220-3
ECAD
A magazzino	3.376 piece(s)
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Specifiche IPP06CN10NGXKSA1

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-220-3
ECAD
Serie	OptiMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 180µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	139nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	9200pF @ 50V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.5 mOhm @ 100A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO-220-3
Pacchetto / caso	TO-220-3

Scheda tecnica IPP06CN10NGXKSA1

IPP06CN10NGXKSA1 Packaging

IPP06CN10NGXKSA1 FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPP06CN10NGXKSA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPP06CN10NGXKSA1

D# IPP06CN10NGXKSA1-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3

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